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光大證券發(fā)表最新研報表示，微導納米(688147.SH)依托 ALD 技術(shù)核心團隊，專注先進微納米薄膜沉積設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應用，構(gòu)建以 ALD 技術(shù)為核心，外拓 CVD 等多種鍍膜設(shè)備的產(chǎn)品體系，廣泛應用于邏輯、存儲、高效光伏電池、新型顯示等領(lǐng)域，在半導體邏輯芯片、存儲芯片的 HKMG 工藝、光伏正面氧化鋁鈍化層上具備較強的領(lǐng)先優(yōu)勢。

光大證券研報寫道，微導納米是國內(nèi)首家成功將量產(chǎn)型 TALD 設(shè)備應用于 28nm 邏輯芯片 high-k 柵介質(zhì)層的設(shè)備廠，同時加快其他工藝段 TALD 與 PEALD 設(shè)備的研發(fā)驗證，持續(xù)鞏固競爭優(yōu)勢。作為國產(chǎn) Thermal ALD 設(shè)備佼佼者，差異化競爭策略減少直接競爭對手。

此外，公司已有多臺 ALD 設(shè)備在不同工藝段驗證，后續(xù)批量重復訂單可期，CVD 系列設(shè)備以硬掩模工藝為切入點，部分產(chǎn)品目前處于客戶試樣驗證階段。截至 2023年 4 月 25 日，公司今年新簽半導體設(shè)備訂單 2.42 億元，與 2022 年全年相當。

該機構(gòu)表示，ALD 技術(shù)因獨特的自限性反應而具有超薄均勻鍍膜、臺階覆蓋率高、保形性優(yōu)異的獨特優(yōu)勢，在 28nm 以下邏輯芯片三維鍍膜、高深寬比存儲芯片薄膜沉積中具有無可比擬地位。美國對華出口管制升溫，聯(lián)合日荷對華封鎖半導體先進制程設(shè)備，釜底抽薪倒逼我國重視供應鏈安全，下游晶圓廠國產(chǎn)設(shè)備驗證意愿增強，打開驗證窗口，推動半導體設(shè)備國產(chǎn)化水平提高，芯片微縮化發(fā)展中 ALD 設(shè)備是先進制程核心設(shè)備，利好在關(guān)鍵工藝領(lǐng)先的微導納米。

據(jù) SEMI 2021 年報告，CVD、PVD、ALD2020-2025 年市場規(guī)模年均復合增長率分別為 8.5%、8.9%和 26.3%。鑒于ALD 為先進制程關(guān)鍵設(shè)備，預計公司未來幾年復合增速超其他類型薄膜設(shè)備。

值得關(guān)注的是，TOPCon 擴產(chǎn)元年，公司訂單大放量，儲備新電池設(shè)備技術(shù)以享受產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展紅利。目前公司 ALD 設(shè)備為正面 Al2O3 鈍化層主流制備技術(shù)，打破 PECVD 壟斷,在同類型產(chǎn)品中市占率全球第一，用于隧穿層與摻雜多晶硅層的 PEALD 二合一設(shè)備，SiNx 層的 PECVD 設(shè)備市場不斷打開，與先導智能協(xié)同為客戶供應整線。

23 年以來 TOPCon 擴產(chǎn)加速，截至 4 月 25 日公司今年新簽光伏訂單 20 億元，超 22 年末在手訂單。xBC 正面 Al2O3層實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應用，HJT 透明導電層處于開發(fā)階段，鈣鈦礦封裝層已處于驗證階段，有望在下一代光伏電池新技術(shù)量產(chǎn)前夕打入供應鏈。

風險提示：新產(chǎn)品驗證進度不及預期，行業(yè)周期持續(xù)下行，國際貿(mào)易摩擦加劇。

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